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关于EUV光刻的优势和应用以及所面临的的困境

时间:2019-09-05 10:47来源:未知 作者:admin 点击:
)光刻技术正蓄势待发,但为了将这项人们期待已久的技术用于大规模生产,还仍然有一些难题有待解决。 EUV 光刻是在芯片上图案化微小特征的下一代技术,原本预期在 2012 年左右投

  )光刻技术正蓄势待发,但为了将这项人们期待已久的技术用于大规模生产,还仍然有一些难题有待解决。

  EUV 光刻是在芯片上图案化微小特征的下一代技术,原本预期在 2012 年左右投入生产。但这么多年过去了,EUV 不断延后,从一个节点拖到了下一个节点。

  如今,GlobalFoundries、英特尔三星和台积电都在竞相要在 7nm 和/或 5nm 节点时将 EUV 光刻用于大规模制造(HVM);根据供应商的不同,时间规划在 2018 年到 2020 年之间。此外,美光、三星和 SK 海力士还希望将 EUV 用于生产十几纳米的DRAM。

  但和之前的技术一样,要将 EUV 投入大规模制造,有一些问题还要解决。芯片制造商还必须权衡各种复杂的利弊关系。

  基于行业最新的数据,这里简单给出了当今 EUV 所处的状态以及其中的一些权衡:

  ASML 正在装配其第一款具有生产价值的 EUV 扫描仪,其中使用了人们等待已久的 250W 光源,计划将在今年年底前完成。但是,EUV 真正投入大规模应用的时间还不能确定。

  抗蚀剂是指暴露在光中时可在表面形成图案的材料。目前抗蚀剂还不能达到 EUV 的目标规格。虽然这个规格可以降低,但吞吐量会受到打击。而且有时候与抗蚀剂的相互作用会导致工艺发生变化甚至图案化失败。

  EUV 防护膜(pellicle)是掩模基础设施的一个关键部分,目前还没有为大规模制造做好准备。防护膜是指防止颗粒落在掩模上的薄膜。所以芯片制造商可能要么需要等待 EUV 防护膜,要么就得不使用防护膜就投入生产——至少在初期可以这么做。

  尽管如此,即使这些问题没有解决,芯片制造商也还是可以在 7nm 节点时应用 EUV 光刻。非要使用的话,EUV 也可以用在一两层上的制造上。但在 5nm 及以后节点,EUV 还不满足这些节点的更严格的规格,也就是说半导体行业还是必须要投入更多时间和金钱来解决这些问题。

  “我们离在大规模制造中实现 EUV 的目标越来越近,”Stifel Nicolaus 的分析师Patrick Ho 说,“还有一些事情需要解决,而且客户使用 EUV 处理的层的数量也各不相同。英特尔更保守。三星则更大胆,因为他们也想将其用于 DRAM 和代工/逻辑业务。我相信台积电的 5nm 节点将实现完全的大规模制造,时间上可能是在 2020-2021 年。”

  很显然,代工客户需要在 EUV 发展曲线上保持领先。为了帮助半导体行业了解情况,Semiconductor Engineering 在本文中对这项技术进行了解读,并分析了EUV 的三大主要部件上的利弊权衡——扫描仪/源、抗蚀剂和掩模基础设施。

  目前,芯片制造商使用 193nm 波长的光刻技术在晶圆上描绘精细的图案。但实际上,193nm 浸没式光刻在 80nm 间距(40nm 半间距)达到了极限。

  因此,从 22nm/20nm 开始,芯片制造商开始在使用 193nm 浸没式光刻的同时配合使用各种多重图案化(multiple patterning)技术。多重图案化是一种在晶圆厂中使用多个光刻、蚀刻和沉积步骤的工艺,其目标是为了将间距减小到 40nm 以下。

  图 1:自对准衬垫料可以避免掩模不对准的问题,来自 Lam Research

  多重图案化是有效的,但步骤更多,因此会增加流程的成本和周期时间(cycle time)。周期时间是指晶圆厂加工一块晶圆从开始到结束的总时间。

  为了解决这些问题,芯片制造商需要 EUV。但因为 EUV 在 7nm 节点时还无法进入初始应用阶段,所以芯片制造商首先将使用浸没式/多重图案化。人们希望在 7nm 后期能够用上 EUV。而 5nm 节点就必须使用 EUV 了。

  “从光学上看 7nm 节点就可以实用了,但可能在成本方面并不理想。”D2S 首席执行官Aki Fujimura 说,“行业希望随着 7nm 产量的攀升,能够在同样的设计规则上使用 EUV。而从实际的角度来看,如果没有 EUV,5nm 将无法实现。”

  EUV 最初是针对 7nm 节点的触点通孔设计的。据GlobalFoundries 称,为了加工触点/通孔,7nm 节点的每个光刻层都需要 2 到 4 个掩模。

  而如果使用 EUV,那么每层就只需要 1 个掩模来加工触点/通孔即可,而且 7nm 和 5nm 节点都是这样。据 ASML 称,理论上 EUV 能简化流程,并且可将晶圆上的周期时间减少大约 30 天。

  GlobalFoundries 首席技术官 GaryPatton 说:“这是一个非常好的权衡,因为你把触点的四重图案化或三重图案化换成了一个掩模。这也不会影响到任何设计规则,所以客户能够在周期时间上取得优势,从而得到更好的产量。当 EUV 技术成型之后,我们将会将其过渡到我们做 metal level 和 shrink 的地方。”

  所以 EUV 在 7nm 节点是可行的,有人甚至认为使用单重图案化就可以。但在 5nm 节点,规格要求更严格,特征尺寸变得更小。为此芯片制造商需要使用多重图案化的 EUV,这将是最复杂最昂贵的工艺。

  早期采用 EUV 的公司希望在 2019 年到 2020 年左右将 EUV 用于 7nm 节点。“这差不多就是工作的中心。我们正努力更加进取。”GlobalFoundries 高级研究员和高级技术研究总监 Harry Levinson 表示,“四大主要芯片公司的 HVM 都规划在未来一两年。现在真正的问题是谁会成为第一,谁又将是第二。”

  但在此之前,芯片制造商必须首先将 EUV 投入大规模制造(HVM)。事实已经证明,这比之前预想的还更加困难,因为 EUV 光刻复杂得让人难以置信。

  在 EUV 中,光源会将等离子体转换成波长 13.5nm 的光。然后,这些光会在一种包含 10 个多层镜面的复杂配置方案中反射。

  然后这些光会经过一个可编程的illuminator 并抵达掩模。在这里,光还会在另外 6 个多层镜面上反射并以 6% 的角度抵达晶圆。

  光源是个大难题。它需要足够大的功率来生成 EUV 光,从而让 EUV 扫描仪足够快地运行并在经济上可行。

  要将 EUV 投入大规模制造,芯片制造商需要能产生 250W 光源功率的 EUV 扫描仪。这能带来 125 wph(每小时晶圆数量)的吞吐量。

  实现这些目标所需的时间超过预想。不久之前,光源还只有 10W 功率。现在,ASML 的光源功率已经从 80W 提升到了 125 W,让 EUV 的吞吐量从 60 wph 提升到了 85 wph。

  现在 ASML 已经准备开始生产自己的第一款 EUV 扫描仪了,即NXE:3400B。该工具的数值孔径为 0.33,分辨率为 13nm。 ASML 高级产品经理 Roderik van Es 说:“看看这个系统的成像性能,我们已经实现了 13nm LS 和 16nm IS。”(LS 表示线和空间,IS 表示隔离线。)

  该工具一开始时将装载一个 140W 的光源,可实现 100 wph 的吞吐量。ASML 最近已经演示了一款 250W 光源。据 Es 说,这个 250W 光源的工业版本将在年底前发布。

  但就算有了 250W 光源,光刻师还是会担忧这个系统能持续工作多长时间。今天的 193nm 扫描仪可以以 250 wph 或更快的速度不停止地运行。相比而言,目前预生产的 EUV 机器的上线%。

  “可用性,即工具下线维护前的时间长度,仍然让人有些担忧,尤其是对英特尔而言。”Stifel Nicolaus 的Ho 说,“像英特尔这样的公司无法接受 70% 甚至 80% 的可用性,它们需要百分之九十几的可用性指标。”

  但是,NXE:3400B 在这一领域的表现如何还有待观察。如果上线运转的时间仍然还有问题,光刻师可能会因为冗余的时间而考虑购买其它工具。

  当然,这是芯片制造商希望避免的昂贵选择。分析师表示,每台 EUV 扫描仪的售价大约为 1.25 亿美元,相比而言,现在的 193nm 浸没式扫描仪的售价为每台 7000 万美元。

  多年以来,EUV 的头号难题都是光源问题。但现在,头号难题的位置正从光源转向涉及抗蚀剂的工艺。

  EUV 抗蚀剂分为两大类:化学增强型抗蚀剂(CAR)和金属氧化物抗蚀剂。CAR已经在行业内应用了很多年,是一种基于扩散的工艺。较新的金属氧化物抗蚀剂则基于氧化锡化合物。

  抗蚀剂的选择涉及到三个指标的权衡,这被称为 RLS 三角——分辨率(R)、线边缘粗糙度(LER)和灵敏度(S)。

  为了达到所需的分辨率,芯片制造商需要灵敏度或剂量为20mJ/cm²的 EUV 抗蚀剂。这些抗蚀剂已经有了,但是要将其投入大规模制造,难度却比之前预想的更大。

  GlobalFoundries 的 Levinson 说:“在 32nm 及以下节点,什么都没用——不管是 CAR 还是金属氧化物,不管剂量如何,至少在合理范围(

  但业界已经开发出了30mJ/cm²和 40mJ/cm²的 EUV 抗蚀剂。基于 RLS 三角原则,抗蚀剂剂量越高,分辨率就越高。但它们的速度更慢,会影响 EUV 的吞吐量。

  “已有的 EUV 抗蚀剂可以支持 7nm HVM,但特征尺寸更小时就难以为继了。”Levinson 说,“因为在研发低剂量抗蚀剂上耗费了太多时间,下一个节点可能存在风险。”

  这是根据花在开发20mJ/cm²抗蚀剂上的时间和资本而得到的结论。半导体行业正在开发这种抗蚀剂,目标是用于 5nm 节点。

  抗蚀剂难题道阻且长。Lam Research 技术总监 Richard Wise 在最近一场活动中说:“剂量不一定需要达到我们想要的目标。由于 EUV 的随机性效应,在降低剂量上还面临着很多基础的物理难题。”

  随机性就是指随机的变化。“光是由光子构成的。曝光少量抗蚀剂的光子的数量的平均值对应于所需的曝光剂量。”Fractilia 首席技术官 Chris Mack 解释说,“但这个平均值会随机改变。如果曝光一定量抗蚀剂的光子数量过高,那么相对的随机变化就会很小。但当曝光少量抗蚀剂的光子数量变小时,相对的随机变化就会变大。”

  所有类型的光刻技术都有随机性之苦,EUV 尤甚。Mack 说:“首先,EUV 光子携带的能量比 193nm 光子多 14 倍。所以对于同样的曝光剂量,光子数少 14 倍。其次,我们正在努力通过使用低曝光剂量让我们的 EUV 扫描仪的吞吐量更高。这也意味着光子更少。光子越少,光子的随机不确定性即散粒噪声就越大。”

  光子数量的变化会带来问题。TEL 资深技术员Ben Rathsack 说:“我们有更高能量的光子,但数量不够。所以我们在图案中有线宽粗糙度和线边缘粗糙度。”(LER 的定义是特征边缘与理想形状的偏差。)

  如果光子数量不够,变化还可能导致其它问题。Imec 先进图案化部门主管Gregory McIntyre 说:“在成像方面,我们所说的第一难题是纳米桥接、线断开和融合或缺失孔等地方的极端粗糙度事件或随机故障。”

  所以在 EUV 曝光工艺中,扫描仪可能有时候无法处理某个线、空或触点。或者该过程可能会导致线断开或触点融合。

  除了抗蚀剂之外还有其它问题,即所谓的 EUV 光掩模基础设施。光掩模是给定 IC 设计的主模板。在开发出一个掩模之后,就要将其送到晶圆厂。该掩模会被放置在光刻工具中。这个工具让光穿过这个掩模,从而在晶圆上投射出图案。

  半导体行业多年来一直都在制造 EUV 掩模,但这项工艺仍然很有难度。KLA-Tencor 标线板产品部总经理 Weston Sousa 说:“掩模行业正在加大力度开发 EUV 标线板。在图案缺陷和修复上难题还有很多,从坯料质量到特征尺寸均匀性。”

  成本和产量也存在问题。GlobalFoundries 的 Patton 说:“我担心的是掩模。掩模本身有缺陷,在生产制造时也会给掩模带来缺陷。”

  随着节点的演进,掩模缺陷也越来越小,更难以找到。英特尔的专供光掩模部门IntelMask Operation 的掩模技术总监 JeffFarnsworth 说:“在周期早期,缺陷标准更加宽松。随着向 HVM 层面推进,标准会越来越严格。HVM 层面的标准肯定不宽松。”

  此外,据三星一位研究者 Heebom Kim 称,EUV 掩模比复杂光学掩模还贵八倍之多。但据ASML 称,随着 EUV 投入大规模制造,EUV 掩模的成本可能会下降至比光学掩模贵不足三倍的水平。

  光学掩模和 EUV 掩模是不同的。在光学掩模中,掩模坯料由玻璃基板上的不透明铬层组成。

  相比而言,EUV 掩模坯料则由基板上 40 到 50 层交替的硅和钼层组成。在光学掩模和 EUV 掩模中,掩模坯料都会进行图案化,从而形成光掩模。”

  掩模生产商希望实现两个目标。一是生产无缺陷的 EUV 掩模,二是防止缺陷出现在掩模上。因为来自扫描仪或其它工艺的颗粒物可能会无意中落在掩模上。

  如果 EUV 扫描仪在曝光阶段给掩模引入了缺陷,那么它们可能就会出现在晶圆上,进而影响芯片产量。

  总体而言,掩模生产商正在生产无缺陷掩模上大步迈进。而防止颗粒物落在掩模上是一个不同的问题,这涉及到掩模基础设施中的一个关键部件:防护膜(pellicle)。防护膜可用作掩模的防尘罩。

  不久之前,半导体行业还坚持认为 EUV 扫描仪可以不使用防护膜,只需要在洁净的环境中就可以加工晶圆。之后芯片制造商改变了自己的看法,表示无法保证 EUV 扫描仪或其它工具能在流程中保持百分之分的洁净。芯片制造商说如果没有防护膜,EUV 就很容易受到颗粒物污染,进而产生缺陷。

  所以业界开始开发 EUV 防护膜。光学掩模的防护膜基于薄聚合物材料。而 EUV 防护膜的唯一供应商 ASML 则开发了一种基于多晶硅的 EUV 防护膜,其厚度仅有 50nm。

  在实际工作过程中,当 EUV 光击中防护膜时,膜的温度会上升到 600 到 1000 摄氏度之间。

  问题是这种防护膜很脆。在这样的温度下,有人担心这种 EUV 防护膜会在加工过程中退化,导致 EUV 掩模和扫描仪损坏。

  到目前为止,ASML 的 EUV 防护膜已经过了 140W EUV 光源测试。但这种防护膜在 250W 功率下的反应还未可知。

  “从机械强度和应用性上看,EUV 防护膜还面临着一些挑战。”Applied Materials 掩模和 TSV 蚀刻部门首席技术员兼 CTO Banqiu Wu 说,“防护膜会吸收一些 EUV 能量。这些能量将会导致防护膜温度升高。防护膜也处在真空环境中,这意味着自然对流冷却速度非常低。又因为防护膜很薄,天然的热转移也非常困难。”

  总而言之,在 HVM 中使用基于多晶硅的防护膜还存在一些不确定性,甚至有人对此仍有怀疑。所以目前半导体行业正在进行调整并在考虑两个选择:等待一种支持 HVM 的防护膜或不使用防护膜就开始生产。

  比如英特尔就已经声明不会在没有防护膜时投入 EUV 生产。英特尔的 Farnsworth 说:“我们正在积极进取。”

  但是也有公司押注其它选择。很多公司正在考虑在没有防护膜时就开始 EUV 生产,至少可以在初期这么做。

  理论上,使用 EUV 的芯片制造商可以在没有防护膜时加工触点和通孔。GlobalFoundries 的 Patton 说:“这些事情不需要防护膜,因为关键区域更小了,所以颗粒物带来问题的风险也更少了。”

  但是,这也可能会产生一些不好的后果。即使 EUV 扫描仪是洁净的,我们不想要的颗粒物也会落在掩模上。

  所以如果芯片制造商在没有防护膜时就投入生产,它们就必须在流程中实施更多掩模检查和清洁步骤。GlobalFoundries 的Levinson 说:“我们将不得不做一些关于晶圆印制和晶圆检查的事。但这些事很让人痛苦,所以我们需要一种优良的防护膜方案。”

  在研发方面,半导体行业正在研发下一代防护膜和掩模基础设施的其它部分。可以肯定的是,EUV 抗蚀剂的开发方面也有紧迫感。当然,光源方面也是如此。

  这些问题会一同得到解决吗?在 EUV 光刻正在进行的这个传奇故事里,时间会告诉我们答案。

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  39既可作为重置移动设备的计时器,又可作为先进负载管理器件,用于需要高度集成解决方案的应用。若移动设备关闭,保持/ SR0低电平(通过按下开启键)2.3 s±20%能够开启PMIC。作为一个重置计时器,FTL11639有一个输入和一个固定延迟输出。断开PMIC与电池电源的连接400 ms±20%可生成7.5 s±20%的固定延迟。然后负荷开关再次打开,重新连接电池与PMIC,从而让PMIC按电源顺序进入。连接一个外部电阻到DELAY_ADJ引脚,可以自定义重置延迟。 特性 出厂已编程重置延迟:7.5 s 出厂已编程重置脉冲:400 ms 工厂自定义的导通时间:2.3 s 出厂自定义关断延迟:7.3 s 通过一个外部电阻实现可调重置延迟(任选) 低I CCT 节省与低压芯片接口的功率 关闭引脚关闭负载开关,从而在发送和保存过程中保持电池电荷。准备使用右侧输出 输入电压工作范围:1.2 V至5.5 V 过压保护:允许输入引脚

  V BAT 典型R ON :21mΩ(典型值)(V BAT = 4.5 V时) 压摆率/浪涌控制,t R :2.7 ms(典型值) 3.8 A /4.5 A最大连续电流(JEDEC ...

  4是一款350 mA LDO稳压器。其坚固性使NCV8774可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至18μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8774包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V和3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压高达Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 NCV汽车前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流18μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和ESR稳定性值 确保任何类型的输出电容的稳定性。 车身控制模块 仪器和群集 乘员...

  4是一款精密5.0 V或12 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态电流。 输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和12 V输出电压选项,输出精度为2.0%,在整个温度范围内 非常适合监控新的微处理器和通信节点 40 I OUT = 100 A时的最大静态电流 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 350 mV时600 mV最大压差电压电流 在低输入电压下维持输出电压调节。 5.5 V至45 V的宽输入电压工作范围 维持甚至duri的监管ng load dump 内部故障保护 -42 V反向电压短路/过流热过载 节省成本和空间,因为不需要外部设备 AEC-Q100合格 满足汽车资格要求 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...

  4C是一款精密3.3 V和5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现22μA的典型静态电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反向,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664C与NCV4264,NCV4264-2,NCV4264-2C引脚和功能兼容,当需要较低的静态电流时可以替换这些器件。 特性 优势 最大30μA静态电流100μA负载 符合新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 极低压降600 mV(最大值)150 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部元件来实现保护。 5.0 V和3.3V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100 1级合格且PPAP能力 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 信息娱乐,无线电 汽车 电路图、引脚图和封装图...

  0B是一款精密极低Iq低压差稳压器。典型的静态电流低至28μA,非常适合需要低负载静态电流的汽车应用。复位和延迟时间选择等集成控制功能使其成为微处理器供电的理想选择。它具有5.0 V或3.3 V的固定输出电压,可在±2%至150 mA负载电流范围内调节。 特性 优势 固定输出电压为5 V或3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压,最高VBAT = 40 V 维持稳压电压装载转储。 输出电流高达150 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 延迟时间选择 为微处理器选择提供灵活性。 重置输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车网站和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为28 uA的低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100uA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 在空载条件下稳定 将系统静态电流保持在最低限度。...

  NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

  5是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态接地电流。 NCV8665的引脚与NCV8675和NCV4275引脚兼容,当输出电流较低且需要非常低的静态电流时,它可以替代这些器件。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mv。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V固定输出电压,输出电压精度为2%(3.3 V和2.5 V可根据要求提供) 能够提供最新的微处理器 最大40 A静态电流,负载为100uA 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...

  4是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现典型的22μA静态接地电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV 。 内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664的引脚和功能与NCV4264和NCV4264-2兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代这些部件。 特性 优势 负载100μA时最大30μA静态电流 会见新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 极低压降电压 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3V固定输出电压,2%输出电压精度 AEC-Q100合格 汽车 应用 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 信息娱乐,无线电 电路图、引脚图和封装图...

  NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

  5是一款精密5.0 V和3.3 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现34μA的典型静态接地电流。 内部保护免受输入瞬态,输入电源反转,输出过流故障和芯片温度过高的影响。无需外部元件即可实现这些功能。 NCV8675引脚与NCV4275引脚兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代该器件。对于D 2 PAK-5封装,输出电压精确到±2.0%,对于DPAK-5封装,输出电压精确到±2.5%,在满额定负载电流下,最大压差为600 mV。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%或2.5% 能够提供最新的微处理器 负载为100uA时最大34uA静态电流 满足100uA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来实现保护。 AEC-Q100 Qualifie d 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...

  4-2功能和引脚与NCV4264引脚兼容,具有更低的静态电流消耗。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μA 处于待机模式时可以节省电池寿命。 保护: - 42 V反向电压保护短路保护热过载保护 无需外部元件在任何汽车应用中都需要保护。 极低压差 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100合格 应用 终端产品 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...

  4是一款宽输入范围,精密固定输出,低压差集成稳压器,满载电流额定值为100 mA。输出电压精确到±2.0%,在100 mA负载电流下最大压差为500 mV。 内部保护免受45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压和2.0%输出电压精度 严格的监管限制 非常低的辍学 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合汽车资格标准 应用 终端产品 车身与底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...

  4-2C是一款低静态电流消耗LDO稳压器。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μ 在待机模式下节省电池寿命。 极低压降500 mV( max)100 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 故障保护: -42 V反向电压保护短路/过流保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%,在整个温度范围内 AEC-Q100合格 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...

  2是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8772可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至24μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 Enable功能可用于进一步降低关断模式下的静态电流至1μA。 NCV8772包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流24μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过...

  0是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8770可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至21μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8770包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为21μA的超低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和E...

  MC33160 线系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...

  80是一款用于移动电源应用的低静态电流PMIC。 PMIC包含一个降压,一个升压和四个低噪声LDO。 特性 晶圆级芯片级封装(WLCSP) 可编程输出电压 软启动(SS)浪涌电流限制 可编程启动/降压排序 中断报告的故障保护 低电流待机和关机模式 降压转换器:1.2A,VIN范围: 2.5V至5.5V,VOUT范围:0.6V至3.3V 升压转换器:1.0A,VIN范围:2.5V至5.5V,VOUT范围:3.0V至5.7V 四个LDO:300mA,VIN范围:1.9V至5.5V,VOUT范围:0.8V至3.3V 应用 终端产品 电池和USB供电设备 智能手机 平板电脑 小型相机模块 电路图、引脚图和封装图...

  1 / 73产品是280 kHz / 560 kHz升压调节器,具有高效率,1.5 A集成开关。该器件可在2.7 V至30 V的宽输入电压范围内工作。该设计的灵活性使芯片可在大多数电源配置中运行,包括升压,反激,正激,反相和SEPIC。该IC采用电流模式架构,可实现出色的负载和线路调节,以及限制电流的实用方法。将高频操作与高度集成的稳压器电路相结合,可实现极其紧凑的电源解决方案。电路设计包括用于正电压调节的频率同步,关断和反馈控制等功能。这些器件与LT1372 / 1373引脚兼容,是CS5171和CS5173的汽车版本。 特性 内置过流保护 宽输入范围:2.7V至30V 高频允许小组件 最小外部组件 频率折返减少过流条件下的元件应力 带滞后的热关机 简易外部同步 集成电源开关:1.5A Guarnateed 引脚对引脚与LT1372 / 1373兼容 这些是无铅设备 用于汽车和其他应用需要站点和控制更改的ons CS5171和CS5173的汽车版本 电路图、引脚图和封装图...

  是一款线 mA输出电流。 NCP161器件旨在满足RF和模拟电路的要求,可提供低噪声,高PSRR,低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。它有两种厚度的超小0.35P,0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装(CSP),XDFN-4 0.65P,1 mm x 1 mm和TSOP5封装。 类似产品:

  是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以产生非常清晰,锐利的数字图像,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为安全应用的最佳选择。 特性 5 Mp为60 fps,具有出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:♦HiSPi(SLVS) - 4个车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装...

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